公司的1,200 V及1,350 V第二代场截止型IGBT获功率元器件类最佳产品奖

2014年5月28日 – 推动高能效立异的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)获中国重要半导体行业袈溆志之一的《电子产品世界》2013年度电源技巧及产品奖之功率元器件类最佳产品奖。这每年一度的奖项表扬六个不合类其余优良产品。

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安森美半导体的高机能第二代场截止型(FSII) IGBT系列扩充了额定电流范围，为不间断电源体系(UPS)、电火锅、电饭煲及微波炉等电源竽暌功用供给高能效、高速开关才能。获奖器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有优良的开关机能及更低的导电损耗，用于15至30 千赫兹(kHz)中等频率工作的电磁加热及软开关应用。这些器件在大年夜电流时供给极佳的强固性和优良的导通状况特点，根据体系请求经由优化，以供给更高能效及降低体系损耗。

安森美半导体的FSII IGBT技巧进一步扩充， 还包含NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，专门设计用于太阳能逆变器、UPS及变频焊机应用。这些器件供给加强的热机能，结点工作温度范围达-55到+175°C，并将额定电流才能晋升至采取TO-247封装前提下 的100 A。

安森美半导体供给高品德及靠得住IGBT的实力悠长，个中经由过程汽车AEC-Q认证的IGBT量产已跨越10年。2011年，公司开端开辟新的高压/大年夜电流IGBT，用于赓续增长、持续需求高能效筹划的工业及花费类市场。2012年，公司宣布采取专有沟槽场截止型技巧的首个完全IGBT产品系列，媲美同类技巧。此次获奖的FSII IGBT产品系列于2013年5月宣布，进一步巩固安森美半导体的技巧领先者地位，现又获得了《电子产品世界》读者投票及专家评审小组的承认。

《电子产品世界》的年度电源技巧及产品奖已踏入第11届，接收世界各地的嵌入式体系供给商提名。《电子产品世界》颁授最佳产品奖及最佳应用奖予六个产品类型，得奖产品由网友投票及《电子产品世界》委任的业界专家评审选出。

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)致力于推动高能效电子的立异，使客户可以或许削减全球的能源应用。公司周全的高能效电源和旌旗灯号治理、逻辑、分立及定制筹划声威，赞助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算机、花费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源竽暌功用的独特设计挑衅。公私运营灵敏、靠得住、世界一流的供给链及品德项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包含制造厂、发卖干事处及设计中间在内的营业收集。更多信息请拜访http://www.onsemi.cn。